IGBT的開關過程主要是由柵極電壓VGE控制的，由于柵極和發(fā)射極之間存在著寄生電容艮，因此IGBT的開通與關斷就相當于對CGE進行充電與放電。假設IGBT初始狀態(tài)為關斷狀態(tài)，即VGE為負壓VGC-，后級輸出為阻感性負載，帶有續(xù)流二極管。那么對于IGBT開關時間的定義，你又了解多少？具體如下。
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?電容是表征電容器容納電荷的本領的物理量。我們把電容器的兩極板間的電勢差增加1伏所需的電量，叫做電容器的電容。電容的符號是C。電容是電子設備中大量使用的電子元件之一，廣泛應用于隔直，耦合，旁路，濾波，調諧回路，能量轉換，控制電路等方面。用C表示電容，電容單位有法拉（F）、微法拉（uF）、皮法拉（pF）,1F=10*6uF=10*12pF
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眾所周知，硅晶圓是制造半導體器件和芯片的基本材料，而且在產(chǎn)業(yè)中扮演著舉足輕重的地位，可以說硅是當今最重要、應用最廣泛的半導體材料。
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?光伏逆變器是光伏系統(tǒng)非常重要的一個設備，主要作用是把光伏組件發(fā)出來的直流電變成交流電，除此之外，逆變器還承擔檢測組件、電網(wǎng)、電纜運行狀態(tài)，和外界通信交流，系統(tǒng)安全管家等重要功能。一款全新逆變器的產(chǎn)出需要兩年多的時間，前期需要投入大量的人力和物力去研發(fā)和測試。
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?逆變器的場效應管工作于開關狀態(tài)，并且流過管子的電流很大，若管子選型不合適、驅動電壓幅度不夠大或電路的散熱不好，皆可導致場效應管發(fā)熱。
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?變頻器的過流故障可分為短路、輕載、重載、加速、減速、恒速過電流，分析變頻器出現(xiàn)過流故障的原因應從兩方面來考慮：一是外部原因；二是變頻器本身的原因。
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